型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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| BLS6G2735L-30_15 | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |
S-band LDMOS transistor |  |
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| BLS6G2933S-130,112 | PhilipsNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
LDMOS S-band radar power transistor | |
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| BLS6G2735LS-30,112 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
RF Manual 16th edition |  |
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| BLS6G2735L-30,112 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
RF Manual 16th edition | |
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| BLS6G2735L-30,112 | AmpleonNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
RF Manual 16th edition |  |
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| BLS6G2735L-30,112 | LittelfuseNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
RF Manual 16th edition |  |
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| BLS6G2731(S)-120 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
RF Manual 16th edition | |
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| BLS6G2731S-130 | AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆安谱隆半导体（合肥）有限公司 |
LDMOS S-band radar power transistor RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 | |
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| BLS6G2731S-120 | AmpleonNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
LDMOS S-band radar power transistor | |
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| BLS6G2731-120,112 | AmpleonNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |
LDMOS S-band radar power transistor | |
型号货源
