型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| GTRA362802FC | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W 48 V 3400 ??3600 MHz | |
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| GTRA384802FC-V1-R2 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W 48 V 3600 ??3800 MHz | |
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| GTRA384802FC-V1-R0 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W 48 V 3600 ??3800 MHz | |
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| GTRA384802FC | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W 48 V 3600 ??3800 MHz | |
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| GTRA374902FC-V1-R2 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W 48 V 3600 ??3700 MHz | |
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| GTRA374902FC-V1-R0 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W 48 V 3600 ??3700 MHz | |
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| GTRA374902FC | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 450 W 48 V 3600 ??3700 MHz | |
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| GTRA263902FC | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W 48 V 2495 ??2690 MHz | |
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| GTRA262802FC-V2-R2 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 250 W 48 V 2490 ??2690 MHz | |
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| GTRA262802FC-V2-R0 | CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商 |
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 250 W 48 V 2490 ??2690 MHz | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 39500 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |

