型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| TIM5964-16SL-422 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
IM3=-45 dBc at Pout= 31.5dBm G1dB=8.0dB(min) at 5.85GHz to 6.75GHz |  |
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| TIM5964-8SL | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
MICROWAVE POWER GaAs FET | |
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| TIM5964-8SL-422 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
MICROWAVE POWER GaAs FET | |
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| TIM5964-60SL_08 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level | |
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| TIM5964-60SL-422 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
MICROWAVE POWER GaAs FET | |
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| TIM5964-25UL_09 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
HIGH POWER P1dB=44.5dBm at 5.9GHz to 6.4GHz | |
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| TIM5964-80SL_08 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
IM3=-30 dBc at Pout= 42.0dBm Single Carrier Level | |
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| TIM5964-12UL | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
MICROWAVE POWER GaAs FET | |
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| TIM5964-4UL_09 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 5.9GHz to 6.4GHz | |
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| TIM5964-16UL | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |
MICROWAVE POWER GaAs FET | |
型号货源
