型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| VF20120S_V01 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |  |
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| VF20120SG_V01 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VF20120S-E3/4W | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | |
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| VF20120S-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VF20120S | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | |
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| VF20120C_V01 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VF20120C | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | |
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| VF20120SG-E3 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VF20120SG | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
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| VF20120C_15 | VishayVishay Siliconix 威世半导体威世硅尼克斯 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
型号货源
