1N659型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| 1N659 | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
Drain Current ID= 1.2A@ TC=25C |  |
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| 1N659 | UTCYoushun Technology Co. Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |
1.2A 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |  |
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| 1N659 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products Inc. New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |  |
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| 1N659X | MICROSEMI |
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| 1N659R | MICROSEMI |
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| 1N659A | 其他 |
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| 1N659A | 其他 |
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| 1N659 | 其他 |
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| 1N659 | FAIRCHILD |
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| 1N659 | 其他 |
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1N659型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 36520 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 9800 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 36520 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 19820 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 25860 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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1N659品牌产品资料属性