型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| HAT2210R-EL-E | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching |  |
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| HAT2210R_17 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOSFET with Schottky Barrier Diode | |
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| HAT2210R | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching | |
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| HAT2210RJ-EL-E | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching | |
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| HAT2210RJ | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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| 28500 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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