型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| LNB2306ELT1G | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 30V (D-S) MOSFET ESD Protected |  |
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| LNB2294LT1G | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
110V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 110V | |
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| LNB86085DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel Power Trench MOSFET | |
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| LNB8512DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
60V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability | |
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| LNB8462DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
60V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability | |
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| LNB8410DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. | |
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| LNB8408DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. | |
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| LNB8404DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. | |
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| LNB8350DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. | |
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| LNB8308DT0AG | LRC乐山无线电 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 18200 | 原装 | 深圳市永信微电子有限公司 |
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