型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| NESG210719-T1 | CELRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise High-Gain |  |
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| NESG210719-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19 1608 PKG) | |
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| NESG210719 | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19 1608 PKG) | |
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| NESG210719-T1 | NEC |
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| NESG210719-T1FB | NEC |
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| NESG210719-T1-A-YFB | RENESAS |
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| NESG210719-A | RENESAS |
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| NESG210719-T1-A | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise High-Gain | |
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| NESG210719-T1 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise High-Gain | |
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| NESG210719 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
NPN SiGe RF Transistor for Low Noise High-Gain | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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