SIA537EDJ-T1-GE3型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| SIA537EDJ-T1-GE3 | VishaySHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO. LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology To provide excellent RDS(ON) |  |
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| SIA537EDJ-T1-GE3 | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO. LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology To provide excellent RDS(ON) |  |
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| SIA537EDJ-T1-GE3 | TFUNKSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO. LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |
N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology To provide excellent RDS(ON) |  |
SIA537EDJ-T1-GE3型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 29800 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 29653 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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SIA537EDJ-T1-GE3品牌产品资料属性