型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| NAND01GW4B2BZA6 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory |  |
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| NAND01GW4B2B | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BN1E | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BZA1 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BZB1 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BN1 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BZB6 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BN6E | STMICROELECTRONICSNUMONYX 恒忆恒忆 |
1-Gbit 2112-byte/1056-word page 1.8 V/3 V single level cell NAND flash memory | |
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| NAND01GW4B2BZA1F | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
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| NAND01GW4B2BN6F | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体 |
1 Gbit 2 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page 1.8V/3V NAND Flash Memory | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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