型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
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| NE3515S02-T1D-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |  |
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| NE3515S02-T1D | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | |
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| NE3515S02-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | |
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| NE3515S02-T1C | CEL |
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| NE3515S02 | CEL |
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| NE3515S02-T1C-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | |
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| NE3515S02-T1C-A | NEC |
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| NE3515S02-T1D | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |  |
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| NE3515S02-T1C-A | RENESASCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | |
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| NE3515S02-T1C | RENESAS |
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型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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