型号描述
| 型号 | 生产品牌/企业名称 | 功能参数描述 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
| NE3521M04-T2B | CELRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain |  |
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| NE3521M04-T2B-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
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| NE3521M04 | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | |
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| NE3521M04-T2 | CELRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
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| NE3521M04-T2-A | CELCalifornia Eastern Laboratories California Eastern Laboratories |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | |
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| NE3521M04-T2-A | RENESAS |
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| NE3521M04-T2B | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
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| NE3521M04-T2 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
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| NE3521M04_15 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
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| NE3521M04-T2B-A | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
N-Channel GaAs HJ-FET K Band Low Noise and High-Gain | |
型号货源
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 库存数量 | 备注 | 供应商 | 询价 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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| 16580 | 原装 | 深圳市泰克微科技有限公司 |
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